高阶效应对mosfet阈值电压的影响
MOSFET阈值电压是指在MOSFET导通的过程中，栅极和源极之间的电压达到一定值时，MOSFET开始导通的电压。高阶效应是指在微米级别的MOSFET器件中，由于电场、梯度等因素的影响，导致器件的电性能受到影响的现象。 高阶效应对MOSFET阈值电压的影响主要表现在两个方面： 1.通道长度调制效应：通道长度调制效应是指在MOSFET通道长度较小的情况下，由于电场效应的影响，通道中的电子浓度会受到影响，从而导致阈值电压的变化。当通道长度减小时，电子浓度的变化会导致阈值电压的变化。 2.反型耗尽效应：反型耗尽效应是指在MOSFET器件中，由于电场效应的影响，导致P型基底区域中的电子被抽出，形成一个N型反型耗尽区，从而影响阈值电压的变化。当反型耗尽区的形成，会导致阈值电压的变化。
阈值电压的MOS管的阈值电压探讨
MOS管的阈值电压等于backgate和source接在一起时形成channel需要的gate对source偏置电压。如果gate对source偏置电压小于阈值电压，就没有channel。一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，gate材质和电介质中的过剩电荷。每个因素都会被简单的介绍下。Bakegate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果backgate越重掺杂，它就越难反转。要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的backgate掺杂能通过在gate dielectric表面下的稍微的implant来调整。这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。考虑一下Vt调整implant对NMOS管的影响。如果implant是由acceptors组成的，那么硅表面就更难反转，阈值电压也升高了。如果implant是由donors组成的，那么硅表面更容易反转，阈值电压下降。如果注入的donors够多，硅表面实际上就反向掺杂了。这样，在零偏置下就有了一薄层N型硅来形成永久的channel。随着GATE偏置电压的上升，channel变得越来越强的反转。随着GATE偏置电压的下降，channel变的越来越弱，最后消失了。这种NMOS管的阈值电压实际上是负的。这样的晶体管称为耗尽模式NMOS，或简单的叫做耗尽型NMOS。相反，一个有正阈值电压的的NMOS叫做增强模式NMOS，或增强型NMOS。绝大多数商业化生产的MOS管是增强型器件，但也有一些应用场合需要耗尽型器件。耗尽型PMOS也能被生产出来。这样的器件的阈值电压是正的。耗尽型的器件应该尽量的被明确的标识出来。不能靠阈值电压的正负符号来判断，因为通常许多工程师忽略阈值电压的极性。因此，应该说“阈值电压为0.7V的耗尽型PMOS”而不是阈值电压为0.7V的PMOS。很多工程师会把后者解释为阈值电压为-0.7V的增强型PMOS而不是阈值电压为+0.7V的耗尽型PMOS。明白无误的指出是耗尽型器件可以省掉很多误会的可能性。继续探讨阈值电压，电介质在决定阈值电压方面也起了重要作用。厚电介质由于比较厚而削弱了电场。所以厚电介质使阈值电压上升，而薄电介质使阈值电压下降。理论上，电介质成分也会影响电场强度。而实际上，几乎所有的MOS管都用纯二氧化硅作为gate dielectric。这种物质可以以极纯的纯度和均匀性生长成非常薄的薄膜；其他物质跟它都不能相提并论。因此其他电介质物质只有很少的应用。（11 也有用高介电常数的物质比如氮化硅作为gate dielectric的器件。有些作者把所有的MOS类晶体管，包括非氧化物电介质，称为insulated-gate field effect transistor（IGFET））gate的物质成分对阈值电压也有所影响。如上所述，当GATE和BACKGATE短接时，电场就出现在gate oxide上。这主要是因为GATE和BACKGATE物质之间的work function差值造成的。大多数实际应用的晶体管都用重掺杂的多晶硅作为gate极。改变多晶硅的掺杂程度就能控制它的work function。GATE OXIDE或氧化物和硅表面之间界面上过剩的电荷也可能影响阈值电压。这些电荷中可能有离子化的杂质原子，捕获的载流子，或结构缺陷。电介质或它表面捕获的电荷会影响电场并进一步影响阈值电压。如果被捕获的电子随着时间，温度或偏置电压而变化，那么阈值电压也会跟着变化。